IGBT-модули представляют собой силовые сборки, в основу которых входят отдельные IGBT-транзисторы (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor - биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенные главным образом для управления цепями трёхфазного тока.
Как правило, IGBT-модули выпускаются в виде прямоугольных корпусов с односторонним прижимом и охлаждением (например, производства компании Mitsubishi) и таблеточном исполнении с двухсторонним охлаждением. Модули с односторонним охлаждением выполняются в прочном пластмассовом корпусе с паяными контактами и изолированным основанием. Все электрические контакты находятся в верхней части корпуса. Отвод тепла осуществляется через основание.
Разновидностью IGBT-модулей являются "интеллектуальные" транзисторные модули (ИТМ), выполненные на IGBT. Они содержат "интеллектуальные" устройства защиты от токов короткого замыкания, системы диагностирования, обеспечивающие защиту от исчезновения управляющего сигнала, одновременной проводимости в противоположных плечах силовой схемы, исчезновения напряжения источника питания и других аварийных явлений. В структуре ИТМ на IGBT предусматривается в ряде случаев система управления с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) и однокристальная ЭВМ. Во многих модулях имеется схема активного фильтра для коррекции коэффициента мощности и уменьшения содержания высших гармонических в питающей сети.
IGBT-модуль по внутренней электрической схеме может представлять собой:
- единичный IGBT;
- двойной модуль (half-bridge), где два IGBT соединены последовательно (полумост);
- прерыватель (chopper), в котором единичный IGBT последовательно соединён с диодом;
- однофазный или трёхфазный мост.
Во всех случаях, кроме прерывателя, модуль содержит параллельно каждому IGBT встроенный обратный диод.
Компания "Ропла" на белорусском рынке электронных компонентов представляет IGBT-модули зарубежного производства фирм FUJI, MITSUBISHI, INFINEON, SEMIKRON, MACMIC.
|